受益于新能源汽车和工业领域的需求大幅增加,中国IGBT市场规模持续增长。 下游需求增加明显IGBT企业订单接不过来最近,由于汽车和光伏需求增加明显海外大厂安森美、英飞凌等纷纷传出IGBT订单接不过来的消息。 据媒体报道,士兰微相关人士表示IGBT订单确实很多,公司已经满产了,现在重点聚焦高端客户和高门槛市场。 安森美深圳公司有关人士表示,目前公司今年、明年订单都已经全部订出去了,现在已经不接单了。 没有足够的产能,接单也无法交付,还要面临违约的风险。 国内IGBT市场未来复合增速有望超20%新型功率半导体器件IGBT是电力电子行业“CPU”,是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品,作用是调节电路中的电压、电流、频率、相位等。 前几年,中国IGBT主要由海外大厂供货。 2020年开始,汽车芯片紧缺,但海外大厂扩产谨慎。 中国新能源汽车产能占全球一半,芯片紧缺打乱了企业正常生产,车厂纷纷寻找替代品,国内涉足IGBT的企业迅速抓住商机。 受益于新能源汽车和工业领域的需求大幅增加,中国IGBT市场规模持续增长。 据国金证券测算,预计2025年全球IGBT市场规模达954亿元、2020~2025年复合增速为16%,中国IGBT市场规模达458亿元、2020~2025年复合增速达21%。 IGBT概念股大幅跑赢同期上证指数证券时报·数据宝统计,目前A股市场上有21家公司布局IGBT相关业务,5月以来这些公司股价平均涨幅达到13.15%,大幅跑赢同期上证指数。 东微半导、台基股份、宏微科技等3股期间累计涨幅超30%。 斯达半导自成立以来一直专注于IGBT的设计研发、生产和销售。 根据Omdia最新报告,公司2020年度IGBT模块的全球市场份额占有率国际排名第6位,在中国企业中排名第1位。 在新能源汽车领域,公司已成功跻身于国内汽车级IGBT模块的主要供应商之列。 华微电子是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国家级高新技术企业。 公司拥有多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线,芯片加工能力每年400万片,封装资源每年24亿支,模块每年1500万块。 华润微的2021年功率器件事业群在第三代化合物半导体器件领域取得技术和产业化的显著突破,自主研发的新一代SiCJBS器件综合性能达到业界先进水平。 自主研发的平面型1200VSiCMOSFET进入风险量产阶段,静态技术参数达到国外对标样品水平。 声明:数据宝所有资讯内容不构成投资建议,股市有风险,投资需谨慎。 〖数据宝〗本文不构成投资建议,股市有风险,投资需谨慎。
受益于新能源汽车和工业领域的需求大幅增加,中国IGBT市场规模持续增长。 下游需求增加明显IGBT企业订单接不过来最近,由于汽车和光伏需求增加明显海外大厂安森美、英飞凌等纷纷传出IGBT订单接不过来的消息。 据媒体报道,士兰微相关人士表示IGBT订单确实很多,公司已经满产了,现在重点聚焦高端客户和高门槛市场。 安森美深圳公司有关人士表示,目前公司今年、明年订单都已经全部订出去了,现在已经不接单了。 没有足够的产能,接单也无法交付,还要面临违约的风险。 国内IGBT市场未来复合增速有望超20%新型功率半导体器件IGBT是电力电子行业“CPU”,是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品,作用是调节电路中的电压、电流、频率、相位等。 前几年,中国IGBT主要由海外大厂供货。 2020年开始,汽车芯片紧缺,但海外大厂扩产谨慎。 中国新能源汽车产能占全球一半,芯片紧缺打乱了企业正常生产,车厂纷纷寻找替代品,国内涉足IGBT的企业迅速抓住商机。 受益于新能源汽车和工业领域的需求大幅增加,中国IGBT市场规模持续增长。 据国金证券测算,预计2025年全球IGBT市场规模达954亿元、2020~2025年复合增速为16%,中国IGBT市场规模达458亿元、2020~2025年复合增速达21%。 IGBT概念股大幅跑赢同期上证指数证券时报·数据宝统计,目前A股市场上有21家公司布局IGBT相关业务,5月以来这些公司股价平均涨幅达到13.15%,大幅跑赢同期上证指数。 东微半导、台基股份、宏微科技等3股期间累计涨幅超30%。 斯达半导自成立以来一直专注于IGBT的设计研发、生产和销售。 根据Omdia最新报告,公司2020年度IGBT模块的全球市场份额占有率国际排名第6位,在中国企业中排名第1位。 在新能源汽车领域,公司已成功跻身于国内汽车级IGBT模块的主要供应商之列。 华微电子是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国家级高新技术企业。 公司拥有多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线,芯片加工能力每年400万片,封装资源每年24亿支,模块每年1500万块。 华润微的2021年功率器件事业群在第三代化合物半导体器件领域取得技术和产业化的显著突破,自主研发的新一代SiCJBS器件综合性能达到业界先进水平。 自主研发的平面型1200VSiCMOSFET进入风险量产阶段,静态技术参数达到国外对标样品水平。 声明:数据宝所有资讯内容不构成投资建议,股市有风险,投资需谨慎。 〖数据宝〗本文不构成投资建议,股市有风险,投资需谨慎。
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